RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
96
Wokół strony -317% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.9
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
23
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
2231
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link