RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
34
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
10.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
34
Prędkość odczytu, GB/s
17.4
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2735
2780
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link