RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Compara
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Puntuación global
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
56
En 45% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
8.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.7
17.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
31
56
Velocidad de lectura, GB/s
17.4
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
10.9
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2735
2235
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link