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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
总分
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
总分
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
56
左右 45% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.9
8.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.7
17.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
56
读取速度,GB/s
17.4
18.7
写入速度,GB/s
10.9
8.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2735
2235
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
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