RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Compara
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
35
En 11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
10.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
31
35
Velocidad de lectura, GB/s
16.8
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
10.8
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2904
2672
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link