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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Puntuación global
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
16
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
34
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
11.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
10600
En 2.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
30
Velocidad de lectura, GB/s
16.8
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
11.3
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
23400
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2968
2709
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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