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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Comparar
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
16
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
34
Por volta de -13% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
11.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
23400
10600
Por volta de 2.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
34
30
Velocidade de leitura, GB/s
16.8
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
11.3
12.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
23400
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2968
2709
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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