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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Compara
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
33
En 12% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
24
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
20.0
13.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
33
Velocidad de lectura, GB/s
24.0
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
20.0
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
25600
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
4156
2987
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
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