RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Confronto
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
33
Intorno 12% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
24
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
20.0
13.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
33
Velocità di lettura, GB/s
24.0
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
20.0
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
25600
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
4156
2987
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link