RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Сравнить
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB против Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
33
Около 12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
24
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
20.0
13.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
33
Скорость чтения, Гб/сек
24.0
16.1
Скорость записи, Гб/сек
20.0
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
25600
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
4156
2987
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link