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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Puntuación global
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
49
En -36% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
2,066.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
36
Velocidad de lectura, GB/s
4,577.1
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
737
1778
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston TCM633-QAC 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
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