RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
49
Около -36% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
2,066.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
36
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
13.6
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
1778
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link