Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

Puntuación global
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Puntuación global
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Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    3 left arrow 15.1
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    35 left arrow 62
    En -77% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.2 left arrow 1,843.6
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    25600 left arrow 6400
    En 4 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    62 left arrow 35
  • Velocidad de lectura, GB/s
    3,556.6 left arrow 15.1
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,843.6 left arrow 9.2
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • Descripción
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    542 left arrow 2488
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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