RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Comparar
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Pontuação geral
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
62
Por volta de -77% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.2
1,843.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
35
Velocidade de leitura, GB/s
3,556.6
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,843.6
9.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
542
2488
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparações de RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Kingston KHX16 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link