RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

総合得点
star star star star star
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB 考慮すべき理由
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 15.1
    テスト平均値
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB 考慮すべき理由
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    35 left arrow 62
    周辺 -77% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.2 left arrow 1,843.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 6400
    周辺 4 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    62 left arrow 35
  • 読み出し速度、GB/s
    3,556.6 left arrow 15.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,843.6 left arrow 9.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    542 left arrow 2488

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAMの比較

SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB

Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
メモリRAM
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
メモリRAM
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
メモリRAM
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
メモリRAM
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
メモリRAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
メモリRAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
メモリRAM