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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Compara
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
38
En 29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
15
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
38
Velocidad de lectura, GB/s
16.7
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
21300
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2756
3005
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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