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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB vs Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Puntuación global
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.1
11.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
27
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
11.3
14.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
19200
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
3342
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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