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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB vs Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Gesamtnote
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.1
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
14.1
Speicherbandbreite, mbps
17000
19200
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2687
3342
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB RAM-Vergleiche
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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