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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Puntuación global
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
34
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
5.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
29
Velocidad de lectura, GB/s
8.6
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
5.8
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1682
3209
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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