RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Puntuación global
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
34
En -26% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
5.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
27
Velocidad de lectura, GB/s
8.6
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
5.8
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1682
2494
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Kingston 9905471-054.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link