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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Puntuación global
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
39
En 13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
8.6
7.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.2
5.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
39
Velocidad de lectura, GB/s
8.6
7.6
Velocidad de escritura, GB/s
5.8
7.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1682
1868
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
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