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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
31
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.2
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
31
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
15.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2329
3819
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
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Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
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