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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
58
En 52% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.9
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
58
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2329
2096
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
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G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
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