RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
30
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.9
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2329
3283
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link