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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
28
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
27
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2329
3701
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
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Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
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