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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2329
2903
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
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