RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2329
2417
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link