RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
56
En 50% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
56
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2329
2851
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link