RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
34
En 18% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
6.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.1
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
34
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
13.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
6.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2329
2200
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link