RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
34
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
6.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.1
12.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.4
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2329
2200
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1MS 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link