RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
65
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2706
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link