RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
44
En 36% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.4
10.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
8.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
44
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
10.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2329
2374
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link