RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
44
Около 36% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.4
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
8.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
44
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
10.6
Скорость записи, Гб/сек
9.6
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
2374
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M379B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT451U6BFR8C-PB 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link