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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
33
En 15% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.6
12.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
33
Velocidad de lectura, GB/s
12.4
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2329
2608
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
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