Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Puntuación global
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Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB

Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    29 left arrow 39
    En 26% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    14.3 left arrow 12.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    10.8 left arrow 7.8
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 12800
    En 1.66 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    29 left arrow 39
  • Velocidad de lectura, GB/s
    12.1 left arrow 14.3
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.8 left arrow 10.8
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2177 left arrow 2159
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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