RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Wynik ogólny
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
39
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
39
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2177
2159
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link