RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Porównaj
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
75
79
Wokół strony 5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
2,036.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
79
Prędkość odczytu, GB/s
3,986.4
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,036.1
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
714
1651
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link