RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Porównaj
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
75
79
Wokół strony 5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
2,036.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
79
Prędkość odczytu, GB/s
3,986.4
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,036.1
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
714
1651
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link