RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
39
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.3
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
39
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
14.3
Скорость записи, Гб/сек
7.8
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
2159
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Samsung M471B5273DM0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link