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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
29
En -38% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
21
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2814
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
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PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
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