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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
29
En -16% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
25
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2989
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
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