Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Puntuación global
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    25 left arrow 29
    En -16% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    16.8 left arrow 13.4
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    12.8 left arrow 9.0
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 12800
    En 1.66 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    29 left arrow 25
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.4 left arrow 16.8
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.0 left arrow 12.8
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2423 left arrow 2989
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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