RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB против Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
29
Около -16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.8
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2989
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
AMD R538G1601U2S-UGO 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Mushkin 991586 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Samsung M378B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMV8GX3M1A1600C11 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link