Comparación de la memoria RAM ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB vs Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB vs Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Puntuación global

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

21.4 15

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

14.3 10.3

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

19200 17000

En 1.13% mayor ancho de banda

Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

36 37

En -3% menor latencia

Lista completa de especificaciones técnicas

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

3448 2569

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns