Confronto tra le RAM ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB vs Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB vs Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Punteggio complessivo

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

21.4 15

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

14.3 10.3

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

19200 17000

Intorno 1.13% larghezza di banda superiore

Motivi da considerare
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

36 37

Intorno -3% latenza inferiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

3448 2569

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns