ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB vs Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Punteggio complessivo
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ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Punteggio complessivo
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    21.4 left arrow 15
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    14.3 left arrow 10.3
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 17000
    Intorno 1.13% larghezza di banda superiore
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    36 left arrow 37
    Intorno -3% latenza inferiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    37 left arrow 36
  • Velocità di lettura, GB/s
    21.4 left arrow 15.0
  • Velocità di scrittura, GB/s
    14.3 left arrow 10.3
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    19200 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    3448 left arrow 2569
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