ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB vs Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    21.4 left arrow 15
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    14.3 left arrow 10.3
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    19200 left arrow 17000
    Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    36 left arrow 37
    Wokół strony -3% niższe opóźnienia

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR4 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    37 left arrow 36
  • Prędkość odczytu, GB/s
    21.4 left arrow 15.0
  • Prędkość zapisu, GB/s
    14.3 left arrow 10.3
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    19200 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Taktowanie / szybkość zegara
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    3448 left arrow 2569
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania