ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB vs Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Pontuação geral
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ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Pontuação geral
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    21.4 left arrow 15
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    14.3 left arrow 10.3
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 17000
    Por volta de 1.13% maior largura de banda
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    36 left arrow 37
    Por volta de -3% menor latência

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    37 left arrow 36
  • Velocidade de leitura, GB/s
    21.4 left arrow 15.0
  • Velocidade de escrita, GB/s
    14.3 left arrow 10.3
  • Largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Tempos / Velocidade do relógio
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    3448 left arrow 2569
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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