Comparação RAM ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB vs Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB vs Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Pontuação geral

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

21.4 15

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

14.3 10.3

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

19200 17000

Por volta de 1.13% maior largura de banda

Razões a considerar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

36 37

Por volta de -3% menor latência

Lista completa de especificações técnicas

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

3448 2569

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns