RAM-Vergleich ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB vs Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB vs Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Gesamtnote

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

21.4 15

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

14.3 10.3

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 17000

Rund um 1.13% höhere Bandbreite

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

36 37

Rund um -3% geringere Latenzzeit

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

3448 2569

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns