RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
62
En -121% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.9
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
28
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
19.9
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
3732
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link