RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
44
En 39% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.8
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.3
5.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
44
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
8.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
5.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
1660
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link