RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
44
Wokół strony 39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.8
8.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
5.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
44
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
1660
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link