RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
44
Wokół strony 39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.8
8.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
5.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
44
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
1660
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link