RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
77
Wokół strony -235% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2825
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Inmos + 256MB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link